Al fabricar láseres de alta velocidad, se pueden tomar las siguientes medidas para mejorar el ancho de banda de 3dB del dispositivo: 

1. En la región activa, se adopta una estructura de pozo multicuántica de tensión (compensada)

El material de la trampa láser del pozo cuántico está en la parte superior del nivel del agujero pesado de la banda de valencia debido a la tensión de compresión biaxial paralela al plano del pozo y la tensión de tracción perpendicular al plano del pozo Se eleva, y la banda de valencia vuelve a degenerar, dividir el electrones de la órbita de espín a la cavidad pesada con la probabilidad de transición de aproximadamente igual a cero, reducen la probabilidad de recombinación de barrena a temperatura ambiente, lo que resulta en una disminución en la corriente del umbral del láser del pozo cuántico y el factor de mejora del ancho de línea disminuye y la frecuencia de oscilación de relajación, modulación el ancho de banda y el coeficiente de ganancia diferencial mejoraron significativamente.

2. Dopaje tipo P en la región activa

El dopaje de tipo p puede reducir el transporte de agujeros a través de la región SCH, que es la principal limitación para los dispositivos de pozos cuánticos de alta velocidad. El dopaje de tipo P puede obtener una ganancia diferencial muy alta y hacer que la distribución de portadores en el pozo cuántico sea más uniforme.

Si la concentración de dopaje de Zn en la región activa es cercana a 1018 cm-3, su ancho de banda de 3dB puede alcanzar los 25 GHz y la frecuencia de oscilación del dispositivo puede aumentarse a 30 GHz (la longitud de la cavidad es de 300 μm). Además, son propicios para reducir el factor de mejora del ancho de línea fuertemente dopado y mejorar aún más la ganancia diferencial, estos son beneficiosos para mejorar las características de modulación del dispositivo.

3.Reduce los parámetros parásitos de la electricidad.

Con el fin de reducir los parámetros parásitos eléctricos del láser de alta velocidad, especialmente la capacitancia parásita, puede usar la tecnología de relleno sanitario de medio aislamiento Fe - InP, al mismo tiempo que también es necesario reducir el área del electrodo; Uso de una estructura de mesa estrecha autoalineada (SA-CM) para reducir la capacitancia parásita El método de llenado de poliimida se usa a menudo para reducir la capacitancia parásita.

4. Mejora la concentración de fotones y la ganancia diferencial dentro del láser.

La frecuencia de resonancia intrínseca se puede aumentar aumentando la concentración de fotones en la cavidad del láser. La ganancia diferencial se puede mejorar mediante el uso de la estructura DFB para hacer que la longitud de onda del láser y la longitud de onda máxima de ganancia se desintonice negativamente (-10 nm), lo que puede aumentar el ancho de banda de modulación de -3 dB.